台基平板可控硅命名规则-台基可控硅晶闸管-中频炉进相器软启动可控硅-河南晶闸管电子科技有限公司

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台基平板可控硅命名规则

2020-09-23

二、特点：1、全扩散工艺 2、平板型陶瓷管壳封装 3、中心放大门极结构 4、双面冷却 5、大电流

三、典型应用：1、大功率变流器 2、交直流电机控制 3、交直流开关 4、相控整流 5、有源和无源逆变

三、说明：1、I_GTV_GTI_H为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在T_jm下的测试值。
        2、I²t=I²_TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I²t=0.005I²_TSM(A²s)
         3、当使用在电流为60HZ情况下：
        I_TSM(8.3ms)=I_TSM(10ms)×1.066,T_j=T_jmI²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm
        4、V_TO:门槛电压，r_T斜率电阻